陈星弼院士去世寿终89岁 曾获最高荣誉“国际功率半导体先驱奖” 成为亚太地区首位获此殊荣的科学家


2019-12-05 11:53 | 杨慧 | 来源:封面新闻
陈星弼院士去世寿终89岁 曾获最高荣誉“国际功率半导体先驱奖” 成为亚太地区首位获此殊荣的科学家
  原标题:又一位院士离开了我们 中国科学院院士陈星弼逝世

  我国功率半导体行业的领路人、九三学社社员、中科院院士、电子科技大学教授陈星弼患病医治无效,12月4日17时10分在四川成都去世,寿终89岁。

  陈星弼1931年1月28日出生在上海市,籍贯浙江浦江,1947年至1952年就读上海同济大学电机系,依次在厦大、同济大学和成都市电讯工程学校(现电子科技大学)工作。1999年入选为中科院院士,2019年入选为国际电气与电子工程师协会终生会士(IEEE Life Fellow)。

  陈星弼是我国功率半导体行业的领路人和集大成者。他发布超出200篇学术论文,得到中美等国专利受权40多项。他是国际上首例明确提出超结耐压层理论的科学家,他的超结专利发明摆脱传统式“硅极限”,被国际学界称为"髙压电力电子器件新的里程碑"。该专利发明成功转让并实现产业化,现阶段超结器件全球年销售市场销售总额超出10亿美金。陈星弼曾得到众多殊荣,包含国家发明奖及国家科技进步奖2项,省部级奖赏13项。2015年得到IEEE ISPSD授予的奖项“国际功率半导体先驱奖”,成为亚洲地区第一位获此荣誉的科学家。2018年当选IEEE ISPSD第一届名人堂,成为第一位当选名人堂的华人科学家。